超高真空薄膜製膜装置

●主な特徴
機種： Chivac社製オリジナル装置
成膜温度： 1000℃(SiCヒーター)
オプション： MBE成膜室 K-cell蒸着源、電子衝撃型蒸着源、RHEED、スパッタ製膜室、RFスパッタ源